[9a-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[9a-W541-4] Study on electrode for p-type shell of multi-quantum-shell LED

〇Atsushi Suzuki¹, Hideki Murakami¹, Kyohei Nokimura¹, Minoru Takebayashi¹, Nanami Goto¹, Mitsuki Terazawa¹, Weifang Lu¹, Naoki Sone^1,3, Kazuyoshi Iida^1,4, Masaki Ohya^1,4, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ., 3.Koito Manufacturing CO.,LTD, 4.Toyoda Gosei Co.,Ltd)

Keywords:GaN, Nanowire, LED

GaInN/GaN系量子殻を用いた三次元構造LEDは非極性面利用による活性層への歪緩和効果や選択成長による転位低減効果が確認されており、高InNモル分率領域における内部量子効率の向上に期待ができる技術である。 しかしながら、その微小且つ緻密な構造故に従来のデバイス用加工技術や評価方法は適用できない。そこで、当該構造に最適化された加工技術の開発が求められる。今回は、p型殻とコンタクトを取る電極について検討を実施したので報告する。