[9a-W611-1~8] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[9a-W611-3] Relation between development of Σ3 grains and generation of dislocation clusters in quasimono silicon

〇Takuto Kojima¹, Kazuya Tajima², Tetsuya Matsumoto¹, Hiroaki Kudo¹, Noritaka Usami² (1.Nagoya Univ. Info., 2.Nagoya Univ. Eng.)

Keywords:multicrystalline silicon, grain boundary, dislocation cluster

バルク成長多結晶シリコン中に導入される転位クラスターは成長方向に伝搬し，インゴット上部では広範囲に広がる．本研究では多結晶シリコンの結晶成長中に非常に低エネルギーで導入されるΣ3粒界の発達と転位クラスター発生の関係を調べた．試料としてシード単結晶によって方向にキャスト成長した擬単結晶シリコンインゴットを用いた．擬単結晶シリコンではるつぼ壁で発生した異なる{111}双晶面を持つΣ3粒界の相互作用が観察された．Σ3粒界の相互作用による複雑な多結晶化は，異なる双晶面によるΣ3粒界が3つ以上衝突した領域で観察された．