[9p-M114-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9p-M114-2] 多結晶SiとアモルファスSi基板への
ホットC^＋イオン注入法によるSiCナノドットの形成(Ⅱ)
:C⁺ドーズ依存性

〇金澤 力斗¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)

キーワード：半導体、SiC、量子ドット