2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9p-M114-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年3月9日(土) 13:15 〜 15:45 M114 (H114)

長 康雄(東北大)、葉 文昌(島根大)

13:30 〜 13:45

[9p-M114-2] 多結晶SiとアモルファスSi基板への
ホットCイオン注入法によるSiCナノドットの形成(Ⅱ)
:C+ドーズ依存性

金澤 力斗1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)

キーワード:半導体、SiC、量子ドット