[9p-M114-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9p-M114-7] 中空構造SOI層を用いた高効率低温転写技術における転写時間の短縮化

〇(B)河北 竜治¹、平野 友貴¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：フレキシブルエレクトロニクス

近年、高性能フレキシブルエレクトロニクスは一層注目を集めており、有機物・酸化物半導体など様々な材料を用いて研究開発が行われている。我々は、多くのメリットを持つ単結晶シリコンを耐熱温度の低いフレキシブル基板上に形成する方法として、メニスカス力を用いた中空構造SOI層の低温転写に取り組んできた。しかし、従来では15分の転写時間を要していたため、本研究では転写される様子の観測を行い、転写時間の短縮を試みた。