[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-14] デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのバッファトラップが過渡応答とドレインリークに与える影響の検討

〇大石 敏之¹ (1.佐賀大理工学部)

キーワード：GaN HEMT、バッファトラップ、過渡応答

GaN HEMTのバッファ層のトラップがドレインリークと過渡応答に与える影響をデバイスシミュレーションで検討した。チャネル層が薄膜化するとドレインリークは改善するものの、過渡応答特性は逆の傾向を示すことがわかった。また、バッファ層がない理想的な場合、過渡応答は良好であるが、ドレインリークが発生しやすいことがわかった。