[9p-PB6-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[9p-PB6-8] BのCatドーピングによるn型a-Siの導電率の変化

〇鶴飼 太陽¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：Cat-CVD、Catドーピング、アモルファスシリコン

カウンタードープへの展開を目指しn型a-SiへのBのCatドーピングによる導電率の変化を調査した。石英ガラス基板上のn型および真性a-Si膜にBのCatドーピングを行い、コプラナー電極を蒸着し導電率を測定した。真性a-Siではドーピング時間の増大に伴い導電率が単調に上昇しており、n型a-Siでも導電率の変化が確認できた。元のn型a-Siより導電率が低下したのは、BのCatドーピングにより電子が補償されたためと考えられる。