[9p-S011-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-S011-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Ar+O₂+H₂スパッタIn­–Ga–Zn­–OによるSchottkyダイオード特性向上

〇曲 勇作¹、濵田 賢一朗¹、増田 健太郎¹、古田 守^1,2 (1.高知工大、2.高知工大総研)

キーワード：In–Ga–Zn–O、ショットキーダイオード、フレキシブルデバイス

InGaZnO (IGZO)は室温成膜においても高い移動度を示し、フレキシブルデバイスへの応用が期待される。我々は前回、反応性スパッタ法で成膜した酸化銀(Ag_xO)と、スパッタ成膜時に水素を導入したIGZOとのIGZO/Ag_xO酸化物ヘテロ界面において、良好なSchottkyダイオード(SDs)(整流比:17×10¹⁰, 障壁高さ:1.17 eV, 理想因子:1.07)をプロセス温度150℃で実現可能であることを報告した。本講演ではIGZO/Ag_xO界面でのSchottky障壁形成機構からフレキシブル化に向けたIGZO SDs低温プロセス技術について報告する。