[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [9p-S221-12] Ge基板の平坦化RTAを用いたin-situ Ge MOS構造の作製

〇(B)石井 寛仁^1,2、石井 裕之²、張 文馨²、森田 行則²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹、前田 辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

キーワード：半導体、ゲルマニウム、表面平坦化

Geは酸化物であるhigh-k材料との界面の制御が非常に困難であるためSiよりも複雑な界面形成技術が必要とされる。本研究ではGe基板をRTAによる熱処理で表面平坦化し、high-k/金属電極膜をin-situで連続して堆積しMOS構造を作製、評価したので報告する。