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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月9日(土) 13:45 〜 17:45 S221 (S221)

井田次郎(金沢工大)、田岡紀之(産総研)

17:00 〜 17:15

[9p-S221-13] UTB-GeOI チャネル構造における裏面Si パッシベーションの効果

〇張文馨¹、入沢寿史¹、石井裕之¹、内田紀行¹、前田辰郎¹ (1.産総研)

キーワード：GeOI、Siパッシベーション、UTB