[9p-S223-1~12] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

[9p-S223-2] Evolutional OPC as DTCO :
LWR and Sliming Effects on SNM of Fin-Trs SRAM by Computational Prediction

〇Kazuya Kadota¹ (1.NanoscienceLab)

Keywords:Line Edge Roughness, Static Noise Margin, Computational Prediction

超細線リソグラフィーを実現する上での主要課題の１つであるラインエッジラフネス（LWR/LER）が最先端LSIデバイスの電子特性にどの様な影響を与えるかについて、サブ２０nmノードのFin-型トランジスタ-を６個搭載したSRAM（キャッシュ）を対象に、計算機シミュレーションを行い、予測、判定を行った。 SRAMのSNM（スタティックノイズマージン）は、LWRが約３nm以下であれば、影響しないことが判明した。 LWRの対処法として、スリミング手法適用の計算予測をした結果、約２ｎｍ以下ならば、影響しないことが判明した。