[9p-S223-1~12] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[9p-S223-2] DTCOとしての進化的OPC：
Fin-Tr SRAMのSNM特性に及ぼすラインエッジラフネスとスリミング効果の計算機予測

〇門田 和也¹ (1.ナノサイエンスラボ)

キーワード：ラインエッジラフネス、スタティックノイズマージン、コンピュータシミュレーション予測

超細線リソグラフィーを実現する上での主要課題の１つであるラインエッジラフネス（LWR/LER）が最先端LSIデバイスの電子特性にどの様な影響を与えるかについて、サブ２０nmノードのFin-型トランジスタ-を６個搭載したSRAM（キャッシュ）を対象に、計算機シミュレーションを行い、予測、判定を行った。 SRAMのSNM（スタティックノイズマージン）は、LWRが約３nm以下であれば、影響しないことが判明した。 LWRの対処法として、スリミング手法適用の計算予測をした結果、約２ｎｍ以下ならば、影響しないことが判明した。