[9p-W371-1~16] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[9p-W371-10] Fabrication and characterization of individual single crystal bismuth wire

〇Yasuhiro Hasegawa¹, Mioko Otsuka^1,2, Taichi Arisaka¹, Ryo Shinozaki¹, Hiroyuki Morita^1,3 (1.Saitama Univ., 2.JSPS DC1, 3.SAITEC)

Keywords:Bismuth nanowire, 4-probe method, Ohmic contact

Biはキャリア有効質量が小さいことから物性研究で大きな役割を果たすのみならず、工学分野において熱電変換の基本材料としても知られている。低温領域でキャリアのデバイ長が100nmオーダーと比較的大きいことから低次元材料への展開も期待されており、本研究グループでは熱電変換応用を目指し、ミリスケール長さ，ナノスケール直径を有する単結晶Biワイヤーの開発とその評価を進めている。予めナノスケール空孔が空けられた石英ガラスファイバー中に、液化したBi材料を高圧によって圧入する手法でBiワイヤーの作製を行っている。作製されたBiワイヤーの物性値を測定するため、集束イオンビーム(FIB)を用いたナノ加工による任意のワイヤー局所表面への電極形成を行い、４端子測定による抵抗率，磁気抵抗，ホール係数，ゼーベック係数の同時測定についての報告を行う。