[9p-W371-1~16] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[9p-W371-3] 温度と組成に依存するSi_1-xGe_xナノワイヤ中の準弾道的熱輸送

〇岡本 昂¹、柳澤 亮人¹、マハフーズ アラム²、澤野 憲太郎²、黒澤 昌志^3,4、野村 政宏¹ (1.東大生研、2.東京都市大、3.名古屋大、4.JST さきがけ)

キーワード：フォノン、弾道的熱輸送、SiGe

合金散乱は、低い熱伝導率を生み出すとともに、周波数の高いフォノンほど強く散乱するため、長い平均自由工程を持つフォノンの熱伝導率への寄与率を高めるという結果ももたらす。SiGe合金は、熱電変換やナノエレクトロニクスへの応用が期待されているが、ナノ構造における熱輸送のメカニズムには未知の部分が多く、単純なナノワイヤ構造においてもフォノンの弾道性に関して議論が収束していない^{[1, 2]}。本発表では、Si_1-xGe_xナノワイヤ構造の熱伝導率が長さによって変化し、さらにその変化率が温度とGe比率に依存することを報告する。