14:30 〜 14:45 [10p-Z04-7] AlGaN/p-GaNゲート構造を用いたしきい値3VのGaN系横型FET 〇谷本 真士1、赤松 純1、多田 慎一1、大巻 雄治1、岩佐 成人1、向井 孝志1 (1.日亜化学工業)