16:30 〜 16:45 [10p-Z04-14] ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2 層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ 〇横井 駿一1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)