13:00 〜 13:15 [10p-Z04-1] 高速ICPエッチングによるGaN-on-GaN HEMT基板貫通ビアプロセス 〇岡本 直哉1,2、高橋 厚1,2、美濃浦 優一1,2、熊崎 祐介1,2、尾崎 史朗1,2、多木 俊裕1,2 (1.富士通株式会社、2.株式会社富士通研究所)