14:45 〜 15:00 [9p-Z26-7] 原子層堆積法を援用した斜め蒸着法による単一電子素子の作製 〇(M2)小池 威廣1、今野 寛己1、水柿 義直1、島田 宏1、三浦 正範2、鹿又 健作2、廣瀬 文彦2 (1.電通大基盤理工、2.山形大院理工)