13:00 〜 13:15 △ [8p-Z05-1] トレンチゲート構造による縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの大電流密度(~20 kA/cm2)、低オン抵抗化(2.5 mΩ・cm2)の達成 〇(B)太田 康介1、角田 隼1、岩瀧 雅幸1、堀川 清貴1、天野 勝太郎1、新倉 直弥1、平岩 篤1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)