11:15 〜 11:30 [11a-Z04-7] Heイオン注入によりMOVPE成長p-GaNに生成されたトラップ評価 〇徳田 豊1、吉田 光1、冨田 一義2、加地 徹2、伊藤 成志3、八木 孝秀3 (1.愛知工大、2.名古屋大学、3.住重アテックス)