16:30 〜 16:45 [11p-Z29-12] 縦軸方向に成長させたMoS2 薄膜を用いた終端のコンタクト抵抗評価 〇金 胄男1,2、高江洲 貴斗1、船津 岳伸1、杉山 睦1,2 (1.東理大理工、2.東理大/総研)