10:15 〜 10:30 [10a-Z03-6] 成膜プロセスにおける成膜前駆体由来の不純物によるSi/SiO2界面伝導性の予測 〇李 虎1、稲垣 耕司2、森川 良忠2 (1.東京エレクトロン、2.阪大院工)