16:00 〜 16:15 [11p-Z29-10] 浮遊ゲート電位の測定による2DメモリデバイスのMemory window過大評価の理解 〇佐々木 太郎1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.埼玉大理、3.物材機構)
16:15 〜 16:30 △ [11p-Z29-11] 浮遊ゲート電位（VFG）のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解 〇佐々木 太郎1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.埼玉大理、3.物材機構)
