〇(D)Yue Wang¹、Masaki Nakano¹、Satoshi Yoshida¹、Hideki Matsuoka¹、Kyoko Ishizaka^1,2、Yoshihiro Iwasa^1,2 (1.Dept. Appl. Phys., Univ. of Tokyo、2.RIKEN CEMS)

11:00 〜 11:15

[11a-Z29-10] MoS₂二層膜のバンドギャップのツイスト角依存性に関する理論的研究

〇奈良純¹、耿文通¹、大野隆央¹ (1.物材機構)

11:15 〜 11:30

[11a-Z29-11] ドープ量を制御した炭素ドープホウ化水素シートの合成と評価

〇川村陸¹、藤本義隆²、石引涼太¹、後藤大河¹、伊藤伸一^1,2、藤田武志³、徳永智春⁴、宮内雅弘²、飯村壮史²、山本明保⁵、斎藤晋²、細野秀雄²、近藤剛弘^1,2 (1.筑波大、2.東工大、3.高知工科大、4.名古屋大、5.農工大)

11:30 〜 11:45

[11a-Z29-12] p⁺-MoS₂/WSe₂接合を用いたWSe₂への低温オーミック電極の実現

〇竹山慶¹、守谷頼¹、増渕覚¹、渡邊賢司²、谷口尚^2,1、町田友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

11:45 〜 12:00

[11a-Z29-13] 低バリアの実現に向けた1T’-MoTe₂と2H-MoTe₂のコンタクト特性の評価

〇謝天順¹、大内秀益¹、坂梨昂平¹、上野啓司²、青木伸之¹ (1.千葉大学、2.埼玉大学)

12:00 〜 12:15

[11a-Z29-14] 鉛直電場が印加されたMoS₂/WS₂ヘテロ積層構造体中のキャリア分布

〇丸山実那¹、長汐晃輔²、岡田晋¹ (1.筑波大数理、2.東大工)

12:15 〜 12:30

[11a-Z29-15] ナノワイヤネットワークを用いたゲーティングによる二硫化モリブデンの電子状態の変調

〇青木佑樹¹、松山圭吾¹、福井暁人¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹、桐谷乃輔¹ (1.大阪府大工)

セッション情報

[11a-Z29-1~15] 17.3 層状物質

[11a-Z29-1] 【注目講演】原子層WTe₂における電子状態の観測と層数依存性

[11a-Z29-2] SnS結晶の電子状態とラマン活性モードの構造依存性

[11a-Z29-3] ホウ化水素シート上へのCO₂の吸着と水素化反応

[11a-Z29-4] 分子性イオンの接合による二硫化モリブデンの状態変調に関する検討

△ [11a-Z29-5] 強酸性極薄膜の自発的形成による高発光単層MoS₂の実現

[11a-Z29-6] 熱処理によるhBN/単層MoTe₂ヘテロ構造の界面不純物除去

△ [11a-Z29-7] 基板表面ラフネスに依存したWS₂単層膜における励起子-励起子消滅

△ [11a-Z29-8] Cr_1/3NbSe₂エピタキシャル薄膜の作製と磁気特性の評価

▲ [11a-Z29-9] Tunable Curie temperature in two-dimensional chromium telluride films grown by molecular beam epitaxy