The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[10a-Z03-1~8] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Thu. Sep 10, 2020 9:00 AM - 11:00 AM Z03

Takayuki Ohta(Meijo Univ.)

10:45 AM - 11:00 AM

[10a-Z03-8] Numerical Analysis of Input-Power Dependence of DLC Film Deposition Process by Low-Pressure and Radio Frequency Ar/CH4 plasma-enhanced CVD

〇(M1)Koichi Ishii1, Shin Ogawa1, Akinori Oda1 (1.ChibaTech.)

Keywords:Low-Pressure Plasma, Plasma-Enhanced CVD, Diamond-Like Carbon

ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜は高硬度,耐摩耗性などを有することから様々な分野で用いられている。DLC成膜にはCH4やC2H2などの炭化水素ガスを用いたプラズマCVDが多く利用されている。CH4を用いて成膜する際に膜硬度の上昇をさせる方法として,Arガスの添加および投入電力の増加が有効であるとされている。
そこで本研究では,低圧容量結合型Ar/CH4プラズマCVDによるDLC 成膜における投入電力依存性に関して解析したので報告する。