[10a-Z04-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10a-Z04-4] Two-dimensional characterization of Schottky contacts on InAlN-HEMTs structure by scanning internal photoemission microscopy

〇Masahiro Uchida^1,2, Yuto Kawasumi², Kazumi Nishimura¹, Noriyuki Watanabe², Kenji Shiojima² (1.NTT-AT, 2.Univ. of Fukui)

Keywords:Nitride semiconductor, HEMT, SIPM

InAlN-HEMT構造エピ結晶上ににショットキー電極を形成し、SIPM:Scanning Internal Photoemission Microscopyによる評価を実施した。AlGaN-HEMT構造でみられたドメインバウンダリーに起因する凹凸と光電流分布の関係はInAlN-HEMT構造でははっきりしなかった。電極領域での組成などの偏りが比較的少ないと考えられる。アニール後の試料では光応答電流の増大と分布の均一化が見られたため、電極プロセス改善の指標としてSIPMが有効であることが確かめられた。