[10a-Z04-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [10a-Z04-7] Wet etching for isolation of N-polar GaN HEMT structure by electrodeless photo-assisted electrochemical reaction

〇(M2)Tomoya Aota¹, Akihiro Hayasaka¹, Isao Makabe², Seiki Yoshida², Takahiro Gotow¹, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo tech, 2.Sumitomo Electric)

Keywords:GaN HEMT, electrodeless PEC-eting, N-polar

HEMTのリセスや素子分離において、平滑な面が得られるエッチングが重要である。それをウェットエッチングで行うことが出来れば、損傷が少なく済む可能性がある。N極性GaNにおいては、KOHなどによりエッチングを行えるが、そのエッチング面は荒れてしまうという課題があった。一方、Ga極性のGaNにおいてはPEC(Photo-Electro Chemical)エッチングを使えば平滑な面が得られるという報告例がある。そこで我々は無電極PECエッチングを使って、N極性GaN HEMT構造のエッチングを行った。