The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10a-Z04-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Sep 10, 2020 9:30 AM - 12:00 PM Z04

Kozo Makiyama(Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

11:30 AM - 11:45 AM

[10a-Z04-8] Defect-free Atomic Layer Etching of GaN with Neutral-Beam Etching

Takahiro Sawada1, Daisuke Ohori1,2,3, Kenta Sugawara4, Masaya Okada4, Daisuke Satou5, Hideyuki Kurihara5, Seiji Samukawa1,2 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.NCTU, 4.Sumitomo Electric Industries, Ltd, 5.SHOWA DENKO K.K.)

Keywords:GaN, etching, Neutral Beam

GaN高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)はAI・IoT社会の発展に必要不可欠な第5世代無線基地局(5G)通信による高速・高信頼ネットワーク形成へ期待されている。バリア層の薄膜化に伴い、無欠陥かつ単原子層レベルでの高度なエッチング技術が求められている。GaNエッチング時の表面状態及びそのメカニズムの詳細に関して、本研究ではGaNの加工における基礎特性をBiasパワー及びガス種を変化させることで明らかにした。