[10a-Z04-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [10a-Z04-8] Defect-free Atomic Layer Etching of GaN with Neutral-Beam Etching

〇Takahiro Sawada¹, Daisuke Ohori^1,2,3, Kenta Sugawara⁴, Masaya Okada⁴, Daisuke Satou⁵, Hideyuki Kurihara⁵, Seiji Samukawa^1,2 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.NCTU, 4.Sumitomo Electric Industries, Ltd, 5.SHOWA DENKO K.K.)

Keywords:GaN, etching, Neutral Beam

GaN高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)はAI・IoT社会の発展に必要不可欠な第5世代無線基地局(5G)通信による高速・高信頼ネットワーク形成へ期待されている。バリア層の薄膜化に伴い、無欠陥かつ単原子層レベルでの高度なエッチング技術が求められている。GaNエッチング時の表面状態及びそのメカニズムの詳細に関して、本研究ではGaNの加工における基礎特性をBiasパワー及びガス種を変化させることで明らかにした。