[10a-Z10-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10a-Z10-1] ミニマルRFマグネトロンスパッタリング装置によるAlN薄膜の形成

〇堀田 将也¹、西里 洋¹、遠江 栄希²、柴 育成²、前田 拓哉³、藤井 知³ (1.堀場エステック、2.横河ソリューションサービス、3.沖縄高専)

キーワード：ミニマル, スパッタリング, 窒化アルミニウム

ミニマルRFマグネトロンスパッタリング装置の開発を行い、AlN薄膜の形成および膜質評価を行った。SAWデバイスにおいて、その特性を決めるAlN薄膜の(002)面の配向性や表面の平滑性は重要な指標となるため、これらの向上のためのスパッタリング条件を検討した。本発表では、Si基板上に形成したAlN薄膜におけるX線回折、SEM像による評価について報告する。