[10a-Z10-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10a-Z10-2] ミニマルAlN反応性スパッタ装置の成膜特性

〇野田 周一¹、居村 史人¹、薮田 勇気³、山本 直子³、亀井 龍一郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.誠南工業)

キーワード：ミニマルファブ, AlN反応性スパッタ, 高パワーインパルスマグネトロンスパッタ

SAWデバイスへの適用が期待されるAlN膜のミニマルスパッタ装置について検討した。純AlターゲットとAr+N₂混合ガスによる反応性スパッタ（HiPIMS）を用い、各種条件を変化させたときの成膜特性を詳細に調べた。SPM洗浄したSi（100)基板上に、400℃でAlN膜を形成したときのXRDスペクトルから、ｃ軸にかなり優勢に配向している膜が形成されていることを確認した。