[10a-Z10-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10a-Z10-3] ミニマルイオン注入装置の開発 (III)

〇三浦 典子¹、橋本 直樹^1,2、北村 是尊^1,2、居村 史人³、佐藤 和重¹、古賀 和博¹、石田 夕起^1,3、大平 俊行³、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.フジインバック、3.産総研)

キーワード：ミニマルファブ, イオン注入

我々はミニマルファブの開発の一環として、イオン注入装置の開発も行っているが、現行の装置ではウェハ外周で注入量が著しく減少する、高濃度注入時にシート抵抗値が積算イオン電流値から求められる値に比べて高くなるなどの課題がある。本研究では、これらの課題を克服すべく、ビームスキャン方法によるシート抵抗分布の変化、シート抵抗のアニール条件依存性等の評価を行ったので、その結果について報告する。