[10a-Z10-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10a-Z10-5] ミニマルCVD装置によるシリコンエピタキシャル製膜における基板回転の効果

〇大谷 真奈¹、本宮 淳弘¹、高橋 俊範¹、室井 光子¹、羽深 等¹、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：エピタキシャル成長, シリコン, ジクロロシラン

環境負荷を軽減しつつ半導体素子を必要な量だけ生産するため、小口径ウエハ(直径12.5mm)を用いる「ミニマル･ファブ」が提案されている。ミニマル･ファブにおけるシリコンエピタキシャル製膜について、原料ガスをトリクロロシランからジクロロシランに切り替えることにより、製膜条件と製膜速度の関係を把握し易くなることが前報において報告された。そこで、本研究では、基板回転により基板周辺の温度が変化する様子を調べたので、報告する。