[10a-Z20-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[10a-Z20-11] Surface and bulk electronic states in hydrogenated In-Ga-Zn-O films

〇Yusaku Magari^1,2, Kentaro Masuda¹, Hisao Makino^1,2, Mamoru Furuta^1,2 (1.Kochi Univ. of Tech., 2.Center for nanotech.)

Keywords:Oxide semiconductor, InGaZnO, Hard x-ray photoelectron spectroscopy

In–Ga–Zn–O (IGZO)は、高い電界効果移動度(> 10 cm²V^-1s^-1)を有し、大面積均一性、室温成膜可能などの特徴から、フレキシブルなデバイスやセンサーへの応用が期待される。我々はスパッタ成膜時に水素を添加した水素化IGZO(IGZO:H)にて、プロセス温度150℃で作製したSchottkyダイオードや薄膜トランジスタの優れた特性を実証してきた。今回、硬X線光電子分光法(HAXPES)によりIGZO:H膜の表面およびバルクの電子状態を評価したので報告する。