[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-11] 水素化In–Ga–Zn–Oの表面およびバルク電子状態評価

〇曲 勇作^1,2、増田 健太郎¹、牧野 久雄^1,2、古田 守^1,2 (1.高知工大、2.高知工大総研)

キーワード：酸化物半導体, InGaZnO, 硬X線光電子分光法

In–Ga–Zn–O (IGZO)は、高い電界効果移動度(> 10 cm²V^-1s^-1)を有し、大面積均一性、室温成膜可能などの特徴から、フレキシブルなデバイスやセンサーへの応用が期待される。我々はスパッタ成膜時に水素を添加した水素化IGZO(IGZO:H)にて、プロセス温度150℃で作製したSchottkyダイオードや薄膜トランジスタの優れた特性を実証してきた。今回、硬X線光電子分光法(HAXPES)によりIGZO:H膜の表面およびバルクの電子状態を評価したので報告する。