[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-9] W添加In₂O₃薄膜における高ホール移動度の起源

〇古林 寛¹、前原 誠²、酒見 俊之²、北見 尚久^1,2、山本 哲也¹ (1.高知工科大総研、2.住友重機械工業(株))

キーワード：酸化インジウム, ホール移動度, 膜密度

W添加In₂O₃ (IWO)薄膜は、Sn添加In₂O₃ (ITO)に代わり太陽電池透明電極として有望視されているが、その高移動度の起源は不明である。本研究では、反応性プラズマ蒸着法により成膜した極薄膜IWOとITOとにおいて、膜密度と電気特性の熱処理／膜厚依存性を検証した。その結果、IWOが高移動度を有するのは、 W–O 結合解離エネルギーがSn–O のそれよりも大きいためであることが分かった。