2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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CS コードシェアセッション » 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

2020年9月10日(木) 08:45 〜 12:00 Z24

藤沢 浩訓(兵庫県立大)、藤井 章輔(キオクシア)

11:30 〜 11:45

[10a-Z24-11] Reliability characteristics of Ferroelectric-HfO2 capacitor with IGZO capping for 3D structure non-volatile memory application

FEI MO1、Takuya Saraya1、Toshiro Hiramoto1、Masaharu Kobayashi1,2 (1.IIS, Univ. of Tokyo、2.D.lab,Univ. of Tokyo)

キーワード:IGZO, Ferroelectric, memory

In this paper, we fabricate and characterize the ferroelectric property of FE-HfO2 with IGZO cap. Then, we investigate the impact of the IGZO cap on the reliability of the fabricated capacitor regarding endurance and retention characteristics. Lastly, an asymmetric imprint effect on the capacitor is studied.