[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10a-Z24-2] ALD法を用いて作成したSi直上Al:HfO₂準安定相の結晶化過程

〇宝栄 周弥¹、桐谷 乃輔¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大院工)

キーワード：二酸化ハフニウム, 原子層堆積法, 結晶構造