[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[10a-Z24-8] Improvement of ferroelectricity of thick ferroelectric films using Hf_xZr_1−xO₂/ZrO₂ stack structure

〇Takashi Onaya^1,2,3,4, Toshihide Nabatame², Mari Inoue², Yong Chan Jung³, Heber Hernandez-Arriaga³, Jaidah Mohan³, Harrison S. Kim³, Naomi Sawamoto¹, Takahiro Nagata², Jiyoung Kim³, Atsushi Ogura^1,5 (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.UT Dallas, 4.JSPS Research Fellow DC, 5.MREL)

Keywords:ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film, HfxZr1-xO2/ZrO2 stack structure, endurance property

Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜は、低温プロセスやCMOSプロセスとの親和性に優れていることから、強誘電体メモリへ向けた候補材料として期待されている。一般的に、HZO膜は膜厚10 nm程度で最大残留分極(2P_r)値を得られる反面、膜厚の増加と共に2P_r値が減少する問題がある。そこで本研究では、膜厚20 nm以上の厚膜領域での安定した強誘電性発現を目的として、HZO/ZrO₂積層構造を用いて、強誘電性及び疲労特性について調べた結果を報告する。