[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-1] 高速ICPエッチングによるGaN-on-GaN HEMT基板貫通ビアプロセス

〇岡本 直哉^1,2、高橋 厚^1,2、美濃浦 優一^1,2、熊崎 祐介^1,2、尾崎 史朗^1,2、多木 俊裕^1,2 (1.富士通株式会社、2.株式会社富士通研究所)

キーワード：基板貫通ビア, 窒化ガリウム基板

今回、エッチングレート1 µm/minを超える高速ICPエッチングを用いたGaN-on-GaN HEMT基板貫通ビアプロセスを開発した。これにより深さ91 µm、直径80 µmのGaN基板ビアホールの形成に成功した。その一方、試料中のほぼ全てのビア内にエッチング残渣が存在することがわかった。詳細は当日報告する。