[10p-Z04-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [10p-Z04-11] Comparison of characteristics of HfAlO_x, HfSiO_x, AlSiO_x, Al₂O₃, and HfO₂ gate dielectrics for GaN power devices

〇(M2)Erika Maeda^1,2, Toshihide Nabatame², Masafumi Hirose^1,2, Mari Inoue², Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Koji Shiozaki³, Tamotsu Hashizume⁴, Hajime kiyono¹ (1.SIT, 2.NIMS, 3.Nagoya Univ., 4.Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN power device, Gate dielectrics, Plasma-Enhanced ALD

GaN HEMTは、リーク電流抑制及び耐圧特性の向上の観点から、大きなバンドギャップ(B_g)、アモルファス構造及び物理膜厚を厚くできる高誘電率(High-k)なゲート絶縁膜が要求されている。しかし、これまでゲート絶縁膜として数多く研究されているHigh-k候補材料について同じ評価法で比較検討した報告例はほとんどない状況である。
そこで、本研究では、B_g及び誘電率の観点から、高B_g及びHigh-kな5種類の候補材料 (HfAlO_x、HfSiO_x、AlSiO_x、Al₂O₃及びHfO₂) を選び、その基本的な特性（耐圧特性、界面特性、誘電率及び結晶性）を調べた結果を報告する。