[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-5] 界面光顕微応答法によるゲートリセスPECエッチングしたAlGaN/GaN HEMT構造の二次元評価

〇川角 優斗¹、堀切 文正²、福原 昇²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.(株)サイオクス)

キーワード：窒化ガリウム, エッチング

界面顕微光応答を用いて，PECゲートリセスエッチングしたAlGaN/GaN HEMT構造上に形成したAu/Niショットキー電極の二次元評価を行った．光電流がエッチング領域では非エッチング領域と比べて0.4 倍に減少し，エッチング領域の周辺部分では幅20 μmにわたり1.5 倍以上に増加した．PECエッチング領域の形状が光電流像に反映されることを示した．