[10p-Z05-1~19] 6.4 薄膜新材料

△ [10p-Z05-13] Si基板上無極性面AlN成長のためのZn_xMn_1-xSバッファー層の作製条件の検討

〇森田 雅也^1,2、石橋 啓次³、高橋 健一郎³、知京 豊裕²、小椋 厚志¹、長田 貴弘² (1.明治大理工、2.物材機構、3.株式会社コメット)

キーワード：緩衝層, 硫化物, スパッタ法

Si上への無極性面AlN及び無極性面GaNの実現に向けて、MnSバッファー層を用いることでSi上に無極性面AlNの結晶化を実現できたが、MnSとSiの界面状態の不安定さが課題である。本研究ではMnS層にZnSを添加したZn_xMn_1-xSバッファー層に着目し、Zn_xMn_1-xSの作製条件を変えることによるMnSとSiの界面状態及び無極性面AlNの成長に与える効果について検討を行い、その結果を報告する。