[10p-Z05-1~19] 6.4 薄膜新材料

[10p-Z05-5] アセチレン-N₂-Ar混合気体の高周波プラズマCVDによる高窒素含有a-CNx:H薄膜の合成と構造解析

〇(M1)綿貫 了太¹、伊藤 治彦¹ (1.長岡技術科学大学)

キーワード：プラズマCVD, アモルファス窒化炭素

高周波プラズマCVDにおいて、アセチレンと窒素を原料に窒化炭素膜を作製した。これまで当研究室では液体有機化合物を原料に窒化炭素薄膜を作製していた。本研究では気体原料を用いた。今回は導入するアセチレンと窒素の量を変化させ、窒素含有率, 結合状態の変化, 膜の表面形状等について調査した。分析にはXPS, FT-IR, GD-OES, 触針式膜厚計を用いた。