[10p-Z09-1~20] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-Z09-4] Elucidation of saw marks flattening mechanism in Si etching using HF/HNO₃ (2)

〇Takashi Fukatani¹, Kenji Takeo¹, Yasuhiro Shikahama¹, Kenya Nishio¹, Tomoki Hirano¹, Suguru Saito¹, Yoshiya Hagimoto¹, Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:Si etching, HF/HNO3, saw marks

Si基板バックグラインド後のソーマーク段差平坦化には、フッ硝酸Siエッチングプロセスが用いられる。これまでの研究で、段差部の液滞留による局所的なエッチングレート差が平坦化現象に対して影響を与えていることを明らかにした。しかし、エッチング中に生じる段差形状の変化が、平坦化挙動に及ぼす影響については検証されていない。本研究では、エッチングに伴う段差形状の変化を詳細に観察し、平坦化メカニズムの考察を行った。