The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-Z09-1~20] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Thu. Sep 10, 2020 12:30 PM - 6:00 PM Z09

Koichiro Saga(Sony), Nobuya Mori(Osaka Univ.), Takashi Hasunuma(Univ. of Tsukuba)

1:30 PM - 1:45 PM

[10p-Z09-5] Nano-Groove Formation on Si (111) Surfaces Assisted by Ag Particles Selectively Deposited at Step Edges

〇(M1)Zhida Ma1, Seiya Masumoto1, Kentaro Kawai1, Kazuya Yamamura1, Kenta Arima1 (1.Osaka Univ.)

Keywords:wet etching, nano grooves, Si surface

我々は、三種類のウェットエッチングを複合的に用い、Si表面にナノメートル幅の溝構造を自己組織的に作製する試みを進めている。まず、Si (111)表面に異方性エッチングを施し、ステップ/テラス構造を作製する。次に、エッジ部へ選択的にAg原子を吸着させる。続いて、これをテンプレートとして金属アシストエッチングを施し、ナノ溝構造を形成する。今回は、各プロセス後のSi表面の構造を調査した結果を報告する。