[10p-Z09-1~20] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-Z09-8] Development of System to Measure Electrical Characteristics of MOS Structures Equipped with a Reaction Chamber with Water Vapor

〇Kenta Arima¹, Yohei Wada¹, Ryo Mikurino¹, Makoto Ochi¹, Kentaro Kawai¹, Kazuya Yamamura¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:water adsorption, insulator film, surface reaction

水分子とGeO₂/Ge構造との反応性は、Ge系デバイスを作製する上で理解するべき、基本的な特性である。我々はこの系に関して、これまで、in situ XPSの結果を報告してきた。これらを踏まえ、現在、設定した湿度条件を満たす水蒸気雰囲気に試料表面を曝露した後に、引き続き高真空中で、金属電極の形成とMOS構造の電気特性測定を連続的に実施できる、反応チャンバー一体型の測定装置を製作している。今回は、その開発状況を報告する。