[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-Z10-4] 加熱in-situ TEMとACOM-TEMによるSi膜の結晶成長メカニズム解析

〇垂水 喜明¹、林 将平¹、川崎 直彦¹、大塚 祐二¹ (1.東レリサーチセンター)

キーワード：加熱in-situ TEM, アモルファスSi, 結晶成長

これまでに我々は、加熱in-situ TEMを用いて、SiO₂膜上a-Si膜の熱処理中の結晶成長過程を観察し、下地SiO₂膜との界面においてランダムに形成された核から結晶成長することを明らかにした。本発表では、a-Si膜の結晶成長メカニズムのさらなる追求のため、各結晶粒について成長速度の算出およびACOM-TEMによる結晶方位解析を実施した。その結果、結晶成長速度と結晶面方位に相関がある可能性が示唆された。