[11a-Z02-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-Z02-6] Cross-sectional shape control of GaN high-aspect fine nano-hole array by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE)

〇(M1)Koki Abe¹, Yuta Moriya¹, Yusei Kawasaki¹, Daichi Ito¹, Kentaro Kinoshita¹, Akihiko Kikuchi^1,2,3 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Photonics Research Center, 3.Sophia Semiconductor Research Institute)

Keywords:nano processing, GaN, photonic crystal

フォトニック結晶は光デバイスの高性能化に有用なデバイス技術であり、その実現にナノ構造加工技術は必要不可欠である。本研究室ではこれまで、高温減圧水素雰囲気下でのGaNの熱分解反応を利用する低損傷極微細ナノ加工技術であるHEATE(Hydrogen Environment Anisotropic Thermal Etching)法によるナノ構造加工について報告してきた。本稿では可視光域での新機能光デバイスの作製に向けて、HEATE法における面方位依存性についての検討を行ったためそれについて述べる。