[11a-Z02-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-Z02-7] グラフェンマスクを用いた化学ビームエピタキシーによるGaNの低角入射マイクロチャンネルエピタキシー

〇成塚 重弥¹、竹中 駿¹、丸山 隆浩¹ (1.名城大理工)

キーワード：窒化ガリウム, グラフェン, マイクロチャンネルエピタキシー

低角入射マイクロチャンネルエピタキシーにおいて従来のSiO₂マスクではなく、グラフェンマスクを使用した。グラフェンマスク上でもGaNの横方向成長は良好に生じたが、1回転写グラフェンマスクの場合は、2回転写グラフェンマスクに比べ、特徴的な横方向成長の形態が得られた。