2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[11a-Z10-1~10] 13.3 絶縁膜技術

2020年9月11日(金) 08:30 〜 11:15 Z10

三谷 祐一郎(都市大)

09:15 〜 09:30

[11a-Z10-4] SiO2, Si3N4膜へのアルカリ土類金属・銅族イオンの透過障壁

奥 友希1、戸塚 正裕1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)

キーワード:耐湿性, 分子軌道計算, イオン効果

SiO2, Si3N4膜へのアルカリ土類金属・銅族イオンを含む各種イオンの透過障壁を分子軌道計算で解析した。その結果、アルカリ金属、アルカリ土類金属・銅族イオンがH2O分子より透過障壁が小さいことが分かった。これらのイオンが耐湿性に影響することを示唆している。